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BSO201SP H

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批號
價格
說明
操作

BSO201SP H
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
TY/臺灣半導體
SOP8
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

BSO201SP H
深圳市深科創科技有限公司
深圳市深科創科技有限公司
聯系人：吳先生/吳小姐/朱先生
電話：0755-832472900755-828652018324751083223957
地址：深圳市福田區航都大廈17F1可提供13%增值稅發票
7500
INFINEON/英飛凌
SOP-8
2020+
-
全新原裝現貨渠道優勢庫存假一罰十

BSO201SP H
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSO201SP H
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
53171
Infineon Technologies
SO-8
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSO201SP H
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

BSO201SP H
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
6000
有30000個INFINEON
SOP-8
15+
-
原裝正品，假一罰十

BSO201SP H
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
PG-DSO-8
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

BSO201SP H
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3500
Infineon
SO-8
13+
-
Infineon一級代理，價優

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功能描述
MOSFET P-KANAL
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSO201SP H 技術參數

BSO200P03SNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO200P03SHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 9.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2330pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO200N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 8.8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 10μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:840pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO200N03 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 7.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 13μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1010pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO150N03MDGXUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 9.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO150N03 標準包裝:1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1 BSO303SPHXUMA1 BSO303SPNTMA1 BSO330N02KGFUMA1 BSO350N03 BSO4410

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