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BSP318SE6327

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSP318SE6327
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
原裝INFIN
SOT223
22+
-
全新原裝現貨供應

BSP318SE6327
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

BSP318SE6327
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
06+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BSP318SE6327
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
12000
INFINEON
SOT223
13+
-
全新原裝，現貨，價優！

BSP318SE6327
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
3125
infineon
sot223
0517+pb
-
原裝現貨

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1

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功能描述
MOSFET N-CH 60 V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSP318SE6327 技術參數

BSP318S E6327 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:90 毫歐 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 20μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP317PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP317PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP317PE6327T 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP317PE6327 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:430mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 歐姆 @ 430mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 370μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:262pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-261-4，TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP320SL6327HTSA1 BSP320SL6433HTMA1 BSP321PH6327XTSA1 BSP321PL6327HTSA1 BSP322PH6327XTSA1 BSP322PL6327HTSA1 BSP324 E6327 BSP324H6327XTSA1 BSP324L6327HTSA1 BSP3-277 BSP3-277-20KA BSP3-277-20KA-TN BSP3-277-LC BSP33,115 BSP3-347 BSP3-347-LC BSP3-480 BSP3-480-20K