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BSP89 L6327

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  • BSP89 L6327
    BSP89 L6327

    BSP89 L6327

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質:營業執照

  • 10000

  • INFINEON

  • SOT-223

  • 22+

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  • 終端免費提供樣品 可開13%增值稅發票

  • BSP89 L6327
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • SOT-223

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:馬先生

    電話:19166264056

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 24680

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐

    電話:1916620305713760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 23000

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  • BSP89 L6327
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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 55550

  • INFINEO

  • SOT223

  • 11+

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  • 全新原裝現貨

  • BSP89 L6327
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:13760200702

    地址:深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706

    資質:營業執照

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  • BSP89 L6327
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  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

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  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 240V 0.35A SMALL SIGNAL
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSP89 L6327 技術參數
  • BSP89 E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):140pF @ 25V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1,000 BSP88L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):95pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP88H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 4SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):95pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):* 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP88E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):240V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 350mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):95pF @ 25V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA 供應商器件封裝:PG-SOT223-4 標準包裝:1 BSP78HUMA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Power Switch Lo Side 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:HITFET - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC SWITCH POWER LOSIDE SOT223-4 BSPD12DING BSPD24DING BSPD24DINLHF BSPD48DING BSPD48RJ45 BSPD5BNCDD BSPD5BNCDI BSPD5BNCSI BSPD5DING BSPD5DINLHF BSPG1230WE BSPG1230WER BSPG1255NPE BSPG1255NPER BSPH2230WE BSPH2230WER BSPH2275TT BSPH2275TTR
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