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BSR33QTA

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BSR33QTA
    BSR33QTA

    BSR33QTA

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • DIODES/美臺

  • SOT89

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSR33QTA
    BSR33QTA

    BSR33QTA

  • 科創特電子（香港）有限公司
    科創特電子（香港）有限公司

    聯系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1000

  • DIODES INC.

  • 主營優勢

  • 1919

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
BSR33QTA PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS PNP 80V 1A SOT-89
  • 制造商
  • diodes incorporated
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷（TR）
  • 零件狀態
  • 有效
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）
  • 1A
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）
  • 80V
  • 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）
  • 500mV @ 50mA，500mA
  • 電流 - 集電極截止（最大值）
  • 100nA（ICBO）
  • 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）
  • 100 @ 100mA，5V
  • 功率 - 最大值
  • 2.1W
  • 頻率 - 躍遷
  • 100MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • SOT-89
  • 標準包裝
  • 1,000
BSR33QTA 技術參數
  • BSR33,135 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BSR33 標準包裝:1 BSR33,115 功能描述:TRANS PNP 80V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BSR33 標準包裝:1 BSR31TA 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT-89 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:Digi-Reel? 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BSR316PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 360mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:3,000 BSR316PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:360mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 360mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 170μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327 BSR802NL6327HTSA1 BSR92PH6327XTSA1 BSR92PL6327HTSA1 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D BSS-025-01-F-D-A
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