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BSR57 T/R

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  • 功能描述
  • 射頻JFET晶體管 TAPE7 FET-RFSS
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 正向跨導 gFS（最大值/最小值）
  • 電阻汲極/源極 RDS（導通）
  • 漏源電壓 VDS
  • 40 V
  • 閘/源截止電壓
  • 5 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 40 V
  • 最大漏極/柵極電壓
  • 40 V
  • 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
  • 25 mA to 75 mA
  • 漏極連續電流
  • 功率耗散
  • 250 mW
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-23
  • 封裝
  • Reel
BSR57 T/R 技術參數
  • BSR57 功能描述:JFET N-Channel 40V 20mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:2V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:40 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR56,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.25W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:20mA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:25 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR56 功能描述:JFET N-Channel 40V 50mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 0.5nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:25 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 BSR50_J35Z 功能描述:TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 4mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BSR50_D74Z 功能描述:TRANS NPN DARL 45V 1.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.6V @ 4mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:2000 @ 500mA，10V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線） 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BSS-016-01-F-D-DP-EM2 BSS-016-01-H-D-DP-EM2 BSS-016-01-L-D-DP-EM2 BSS-025-01-C-D-A BSS-025-01-C-D-A-TR BSS-025-01-F-D BSS-025-01-F-D-A BSS-025-01-F-D-A-TR BSS-025-01-F-D-EM2 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2
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