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BSRE160ETC220MF05D

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BSRE160ETC220MF05D
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
41571
United Chemi-Con
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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功能描述
鋁質電解電容器 - 帶引線 22UF 16V
RoHS
否
制造商
Kemet
引線類型
電容
220 uF
容差
20 %
電壓額定值
25 V
工作溫度范圍
端接類型
Radial
外殼直徑
8 mm
外殼長度
11 mm
引線間隔
5 mm
產品
General Purpose Electrolytic Capacitors
封裝
Bulk

BSRE160ETC220MF05D 技術參數

BSR92PL6327HTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 0.14A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:140mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:109pF @ 25V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:3,000 BSR92PH6327XTSA1 功能描述:MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:140mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 歐姆 @ 140mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 130μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:109pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR802NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.7A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4.7nC @ 2.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1447pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，2.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SC-59 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSR802N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，2.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:750mV @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1447pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR606NH6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 制造商:infineon technologies 系列:汽車級，AEC-Q101，OptiMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 2.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 15μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:657pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSS-025-01-F-D-LC BSS-025-01-F-D-TR BSS-025-01-H-D BSS-025-01-H-D-A BSS-025-01-H-D-A-TR BSS-025-01-L-D BSS-025-01-L-D-A BSS-025-01-L-D-A-TR BSS-025-01-L-D-EM2 BSS-025-01-L-D-LC BSS-025-01-L-D-TR BSS-034-01-F-D-DP-EM2 BSS-034-01-H-D-DP-EM2 BSS-034-01-L-D-DP-EM2 BSS-050-01-C-D-A BSS-050-01-F-D BSS-050-01-F-D-A BSS-050-01-F-D-A-TR