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BSS84LT1G-

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  • BSS84LT1G-VB
    BSS84LT1G-VB

    BSS84LT1G-VB

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 385235

  • VBSEMI

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  • BSS84LT1G-VB
    BSS84LT1G-VB

    BSS84LT1G-VB

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • BSS84LT1G-VB
    BSS84LT1G-VB

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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSS84LT1G-
    BSS84LT1G-

    BSS84LT1G-

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • SOT-23

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BSS84LT1G- PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BSS84LT1G- 技術參數
  • BSS84LT1G 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 BSS84LT1 功能描述:MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):130mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):30pF @ 5V 功率 - 最大值:225mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10 BSS84DW-7-F 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):130mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:1 BSS84DW-7 功能描述:MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SC70-6 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):130mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 歐姆 @ 100mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):45pF @ 25V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:SOT-363 標準包裝:3,000 BSS84AKW-BX 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 50V 150MA SC70 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):150mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.35nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):830mW(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 100mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SC-70 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:3,000 BSS84PW L6327 BSS84PWH6327XTSA1 BSS84TA BSS84TC BSS84V-7 BSS84W-7 BSS84W-7-F BSS84WQ-7-F BSS87 E6433 BSS87,115 BSS87E6327 BSS87E6327T BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327XTSA1 BSS87L6327HTSA1 BS-SA7024 BST-108-08-G-D-230-RA BST110V
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