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BSS8LT1G

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  • BSS8LT1G
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    BSS8LT1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：史仙雁

    電話：19129911934（手機優(yōu)先微信同號）0755-82813018

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2100

  • ON

  • ROHS

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  • 全新原裝現(xiàn)貨庫存！400-800-030...

  • BSS8LT1G
    BSS8LT1G

    BSS8LT1G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6550

  • ON

  • SOT-23

  • 201311+

  • -

  • 原裝正品，現(xiàn)貨庫存！400-800-03...

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BSS8LT1G 技術(shù)參數(shù)
  • BSS87L6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS87H6327XTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:* 標準包裝:1,000 BSS87H6327FTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BSS87E6327T 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:P-SOT89-4 標準包裝:1 BSS87E6327 功能描述:MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:240V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:260mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6 歐姆 @ 260mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 108μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:97pF @ 25V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應(yīng)商器件封裝:P-SOT89-4 標準包裝:1 BST15,115 BST-15/100-D48-C BST-15/85-D5-C BST15TA BST16,115 BST-169 BST16TA BST-225 BST-256P BST-272P+16 BST-303 BST-324 BST-352P BST-357 BST39,115 BST39TA BST40TA BST-492
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