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BTS-125-01-F-D-A-TR

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BTS-125-01-F-D-A-TR 技術參數
  • BTS-125-01-F-D-A-K 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包裝:管件 零件狀態:在售 連接器類型:插口,外罩觸點 針腳數:250 間距:0.025"(0.64mm) 排數:2 安裝類型:表面貼裝 特性:板件導軌,拾放 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:閃光 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.160"(4.06mm) 標準包裝:500 BTS-125-01-F-D-A 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包裝:管件 零件狀態:在售 連接器類型:插口,外罩觸點 針腳數:250 間距:0.025"(0.64mm) 排數:2 安裝類型:表面貼裝 特性:板導軌 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:閃光 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.160"(4.06mm) 標準包裝:500 BTS-125-01-F-D 功能描述:.635MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBL 制造商:samtec inc. 系列:BTS 包裝:管件 零件狀態:在售 連接器類型:插口,外罩觸點 針腳數:250 間距:0.025"(0.64mm) 排數:2 安裝類型:表面貼裝 特性:- 觸頭鍍層:金 觸頭鍍層厚度:閃光 接合堆疊高度:5mm 板上高度:0.160"(4.06mm) 標準包裝:500 BTS121ANKSA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 9.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:500 BTS121AE3045ANTMA1 功能描述:MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:TEMPFET? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 9.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1500pF @ 25V 功率 - 最大值:95W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 BTS125A BTS130A BTS133 BTS133 E3045A BTS133BKSA1 BTS133E3064NKSA1 BTS133TC BTS133TCBUMA1 BTS134D BTS134DATMA1 BTS135A BTS140A BTS141 BTS141 E3045A BTS141BKSA1 BTS141E3064NKSA1 BTS141TC BTS141TCBUMA1
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