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BTS7975B

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  • BTS7975B
    BTS7975B

    BTS7975B

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

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  • INFINEON/英飛凌

  • TO263-7

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  • BTS7975B
    BTS7975B

    BTS7975B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • BTS7975B
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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • INFINEON

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BTS7975B 技術參數
  • BTS7960P 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO220-7 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關 系列:NovalithIC™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅動器 輸入類型:SPI 輸出數:8 導通狀態電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) BTS7960B 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO263-7 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關 系列:NovalithIC™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅動器 輸入類型:SPI 輸出數:8 導通狀態電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) BTS7930B 功能描述:IC NOVALITHIC 1/2 BRIDGE TO263-7 RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 內部開關 系列:NovalithIC™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅動器 輸入類型:SPI 輸出數:8 導通狀態電阻:850 毫歐,1.6 歐姆 電流 - 輸出 / 通道:205mA,410mA 電流 - 峰值輸出:500mA,1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-SOIC(0.295",7.50mm 寬) 供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) BTS7904SAKSA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V,30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):123nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W,96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-220-5 供應商器件封裝:PG-TO220-5-13 標準包裝:500 BTS7904BATMA1 功能描述:MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V,30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 40μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):121nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6100pF @ 25V 功率 - 最大值:69W,96W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-6,D2Pak(5 引線+接片),TO-263BA 供應商器件封裝:PG-TO263-5 標準包裝:1,000 BTT60501EKAXUMA1 BTT60502EKAXUMA1 BTT61002EKAXUMA1 BTT62001EJAXUMA1 BTT62004EMAXUMA1 BTW67-1000 BTW67-200 BTW67-600 BTW68-1000RG BTW68-1200RG BTW68-200RG BTW68-600RG BTW68-800RG BTW69-1000RG BTW69-1200N BTW69-1200RG BTW69-200RG BTW69-600RG
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