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BUK637-500A/B/C

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BUK637-500A/B/C
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
1299
PHI
TO-3P
2025+
-
絕對現貨

BUK637-500A/B/C
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
PH
TO-3P
07/08+
-
假一罰十，百分百原裝正品

1/1頁 40條/頁共6條
1

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BUK637-500A/B/C PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BUK637-500A/B/C 技術參數

BUK626R2-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:67nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3720pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.2 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK625R2-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:54.8nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3470pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:128W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK625R0-40C,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK624R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A DPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:90A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:78nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:4707pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:158W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 BUK6246-75C,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 22A DPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級，AEC-Q101，TrenchMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:46 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1280pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:2,500 BUK653R3-30C,127 BUK653R4-40C,127 BUK653R5-55C,127 BUK653R7-30C,127 BUK654R0-75C,127 BUK654R6-55C,127 BUK654R8-40C,127 BUK655R0-75C,127 BUK6607-55C,118 BUK6607-75C,118 BUK6610-75C,118 BUK661R6-30C,118 BUK661R8-30C,118 BUK661R9-40C,118 BUK662R4-40C,118 BUK662R5-30C,118 BUK662R7-55C,118 BUK663R2-40C,118