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BUK7105-40ATE118

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BUK7105-40ATE118 技術參數
  • BUK7105-40ATE,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):118nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4500pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:800 BUK7105-40AIE,118 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:電流感測 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):127nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5000pF @ 25V 功率 - 最大值:272W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-5,D2Pak(4 引線+接片),TO-263BB 供應商器件封裝:SOT-426 標準包裝:1 BUK6E4R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):234nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):15450pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標準包裝:50 BUK6E3R4-40C,127 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):125nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8020pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):204W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標準包裝:50 BUK6E3R2-55C,127 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:管件 零件狀態:停產 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):258nC @ 10V Vgs(最大值):±16V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):15300pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標準包裝:50 BUK7210-55B,118 BUK7210-55B/C1,118 BUK7212-55B,118 BUK7213-40A,118 BUK7214-75B,118 BUK72150-55A,118 BUK7215-55A,118 BUK7219-55A,118 BUK7222-55A,118 BUK7225-55A,118 BUK7226-75A,118 BUK7226-75A/C1,118 BUK7227-100B,118 BUK7230-55A,118 BUK7237-55A,118 BUK7240-100A,118 BUK724R5-30C,118 BUK725R0-40C,118
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