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BUL53BSMD

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  • 制造商
  • SEME-LAB
  • 制造商全稱
  • Seme LAB
  • 功能描述
  • ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
BUL53BSMD 技術參數
  • BUL510 功能描述:TRANS NPN 450V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1.25A,5A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):15 @ 1A,5V 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL49DFP 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 800mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):4 @ 7A,10V 功率 - 最大值:34W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 BUL49D 功能描述:TRANS NPN 450V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 800mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):4 @ 7A,10V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL45G 功能描述:TRANS NPN 400V 5A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:SWITCHMODE?? 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 400mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):14 @ 300mA,5V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL45D2G 功能描述:TRANS NPN 400V 5A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 400mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 2A,1V 功率 - 最大值:75W 頻率 - 躍遷:13MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUL741 BUL741FP BUL742A BUL742C BUL743 BUL770-S BUL804 BUL805 BUL810 BU-L8-375TIN BUL89 BUL903ED BUL98 BULB128-1 BULB39D-1 BULB49DT4 BULB7216-1 BULB7216T4
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