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BULB903LD

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BULB903LD 技術參數
  • BULB903EDT4 功能描述:TRANS NPN 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:- 標準包裝:1,000 BULB742C-1 功能描述:TRANS NPN 400V 4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 1A,3.5A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):25 @ 800mA,3V 功率 - 最大值:70W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BULB7216T4 功能描述:TRANS NPN 700V 3A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):700V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 80mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):4 @ 2A,5V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 BULB7216-1 功能描述:TRANS NPN 700V 3A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):700V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):3V @ 80mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):4 @ 2A,5V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 BULB49DT4 功能描述:TRANSISTOR HIGH VOLTAGE 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):450V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.2V @ 800mA,4A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):4 @ 7A,10V 功率 - 最大值:80W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 BULT118M BULT3P3 BUNDS-KT-3LE00 BUNDS-KT-3PE00 BUNDS-KT-4LE00 BUNDS-KT-4PE00 BU-P1081-12-0 BU-P1081-12-2 BU-P1081-24-0 BU-P1081-24-2 BU-P1081-36-0 BU-P1081-36-2 BU-P1081-36-4 BU-P1166-12-0 BU-P1166-12-2 BU-P1166-24-0 BU-P1166-24-2 BU-P1166-36-0
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