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BUT12XI

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制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
Silicon Diffused Power Transistor

BUT12XI 技術參數

BUT12TU 功能描述:TRANS NPN 400V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.2A，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:1,000 BUT12AX,127 功能描述:TRANS NPN 450V 8A TO-220F 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1A，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 1A，5V 功率 - 最大值:23W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 全封裝，隔離接片供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:1,000 BUT12ATU 功能描述:TRANS NPN 450V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.2A，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:1,000 BUT12AI,127 功能描述:TRANS NPN 450V 8A TO220AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 860mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:14 @ 1A，5V 功率 - 最大值:110W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:5,000 BUT12A 功能描述:TRANS NPN 450V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.2A，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:1mA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:100W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:200 BUV26 BUV26G BUV27 BUV27G BUV298AV BUV298V BUV48A BUV98AV BUW48 BUX10 BU-X15400-0 BU-X15400-2 BUX348 BUX48 BUX48A BUX84-S BUX85 BUX85G