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BUV47-S

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 850V 9A NPN
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BUV47-S 技術參數

BUV298V 功能描述:TRANS NPN 450V 50A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 6.4A，32A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:12 @ 32A，5V 功率 - 最大值:250W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 BUV298AV 功能描述:TRANS NPN 450V 50A ISOTOP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:450V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.2V @ 6.4A，32A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:12 @ 32A，5V 功率 - 最大值:250W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:ISOTOP 供應商器件封裝:ISOTOP? 標準包裝:10 BUV27G 功能描述:TRANS NPN 120V 12A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:70W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUV27 功能描述:TRANS NPN 120V 12A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 800mA，8A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:85W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUV26G 功能描述:TRANS NPN 90V 20A TO220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:90V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 1.2A，12A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:85W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BUX84-S BUX85 BUX85G BUX87 BUX98A BUX98APW BUXD87T4 BUY69A BUZ10 BUZ11_NR4941 BUZ11_R4941 BUZ11-NR4941 BUZ30A BUZ30A E3045A BUZ30A H BUZ30AH3045AATMA1 BUZ30AHXKSA1 BUZ31