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BUZ30A H3045A

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BUZ30A H3045A
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BUZ30A H3045A
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
10000
INFINEON
TO-263
22+
-
終端免費提供樣品可開13%增值稅發票

BUZ30A H3045A
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
1000
INFINEON
TO-263
假一賠十！！
-
絕對原裝現貨！

BUZ30A H3045A
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
9592
Infineon Technologies
TO-263-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BUZ30A H3045A
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
250000
INFINEON
TO-263
最新批次
-
OEM渠道，價格超越代理！

BUZ30A H3045A
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3500
Infineon
TO-263
13+
-
Infineon一級代理，價優

BUZ30A H3045A
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
1000
INFINEO
TO-263
13+
-
原裝現貨/特價

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功能描述
MOSFET N-Channel 200V Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BUZ30A H3045A 技術參數

BUZ30A H 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ30A E3045A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-263 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:PG-TO263-3 標準包裝:1,000 BUZ30A 功能描述:MOSFET N-CH 200V 21A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:SIPMOS? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:130 毫歐 @ 13.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:PG-TO220-3 標準包裝:500 BUZ11-NR4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220-3 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:800 BUZ11_R4941 功能描述:MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:50V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:40 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:400 BUZ31L E3044A BUZ31L H BUZ32 BUZ32 E3045A BUZ32 H BUZ32H3045AATMA1 BUZ73 BUZ73A BUZ73A H BUZ73A H3046 BUZ73AE3046XK BUZ73AL BUZ73ALHXKSA1 BUZ73E3046XK BUZ73H3046XKSA1 BUZ73HXKSA1 BUZ73L BUZ73LHXKSA1

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