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BYG10D-E3

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  • BYG10D-E3
    BYG10D-E3

    BYG10D-E3

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • VISHAY/威世

  • SMA

  • 2021+

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  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BYG10D-E3/TR
    BYG10D-E3/TR

    BYG10D-E3/TR

  • 廣東濟德精密電子有限公司
    廣東濟德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號2棟2樓

  • 278

  • VISHAY

  • NA

  • 2216

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  • BYG10D-E3/TR
    BYG10D-E3/TR

    BYG10D-E3/TR

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 18000

  • VISHAY

  • DO-214

  • 22+

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  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • BYG10D-E3
    BYG10D-E3

    BYG10D-E3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • VISHAY

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  • BYG10D-E3/TR
    BYG10D-E3/TR

    BYG10D-E3/TR

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 9000

  • Vishay

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BYG10D-E3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BYG10D-E3 技術參數
  • BYD77D,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD77B,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 100V 850MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:850mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:980mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 100V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD37M,115 功能描述:DIODE AVALANCHE 1KV 600MA MELF 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:600mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:20pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-87 供應商器件封裝:MELF 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 BYD33MGPHE3/73 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:3,000 BYD33MGPHE3/54 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1A Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV） 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io） 反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:15pF @ 4V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41） 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:5,500 BYG10DHM3_A/I BYG10D-M3/TR BYG10D-M3/TR3 BYG10G-E3/TR BYG10G-E3/TR3 BYG10GHE3/TR BYG10GHE3/TR3 BYG10GHE3_A/H BYG10GHE3_A/I BYG10GHM3/TR BYG10GHM3/TR3 BYG10GHM3_A/H BYG10GHM3_A/I BYG10G-M3/TR BYG10G-M3/TR3 BYG10J/TR BYG10J-E3/TR BYG10J-E3/TR3
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