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BYT77V

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BYT77V 技術參數

BYT77-TR 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT77-TAP 功能描述:Diode Avalanche 800V 3A Through Hole SOD-64 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-64，軸向供應商器件封裝:SOD-64 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:2,500 BYT71-800 功能描述:Diode Standard 800V 6A Through Hole TO-220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:6A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:300ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:20μA @ 800V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-2 供應商器件封裝:TO-220AC 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:1,000 BYT62-TR 功能描述:Diode Avalanche 2400V (2.4kV) 350mA Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:2400V(2.4kV) 電流 - 平均整流（Io）:350mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:3.6V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:5,000 BYT62-TAP 功能描述:Diode Avalanche 2400V (2.4kV) 350mA Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效二極管類型:雪崩電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:2400V(2.4kV) 電流 - 平均整流（Io）:350mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:3.6V @ 1A 速度:標準恢復 >500ns，> 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:5μs 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 2400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:SOD-57，軸向供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:175°C（最大）標準包裝:5,000 BYV10EX-600PQ BYV10X-600PQ BYV12-TAP BYV12-TR BYV13-TAP BYV13-TR BYV14-TAP BYV14-TR BYV15-TAP BYV15-TR BYV16-TAP BYV16-TR BYV255V-200 BYV25D-600,118 BYV25F-600,127 BYV25FB-600,118 BYV25FD-600,118 BYV25FX-600,127