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BYW33TAP

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  • 制造商
  • VISHAY
  • 功能描述
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BYW33TAP 技術參數
  • BYW32-TR 功能描述:Diode Avalanche 200V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57,軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW32-TAP 功能描述:Diode Avalanche 200V 2A Through Hole SOD-57 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 二極管類型:雪崩 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):200ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SOD-57,軸向 供應商器件封裝:SOD-57 工作溫度 - 結:-55°C ~ 175°C 標準包裝:5,000 BYW29G-200-TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.15V @ 10A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 BYW29EX-200,127 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.05V @ 8A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-2 全封裝,隔離接片 供應商器件封裝:TO-220FP 工作溫度 - 結:150°C(最大) 基本零件編號:BYW29-200 標準包裝:1,000 BYW29ED-200,118 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK 制造商:ween semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):8A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 20A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):25ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 BYW51-200 BYW51-200G BYW51FP-200 BYW51G-200 BYW51G-200-TR BYW52-TAP BYW52-TR BYW53-TAP BYW53-TR BYW54-TAP BYW54-TR BYW55-TAP BYW55-TR BYW56-TAP BYW56-TR BYW72-TAP BYW72-TR BYW73-TAP
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