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BZM55C10-TR 10V

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BZM55C10-TR 10V PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZM55C10-TR 10V 技術參數

BZM55C10-TR 功能描述:Zener Diode 10V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:MicroMELF 標準包裝:1 BZM55B9V1-TR3 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:MicroMELF 標準包裝:10,000 BZM55B9V1-TR 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:MicroMELF 標準包裝:2,500 BZM55B8V2-TR3 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW Surface Mount MicroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:MicroMELF 標準包裝:10,000 BZM55B8V2-TR 功能描述:DIODE ZENER 500MW MICROMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:MicroMELF 標準包裝:1 BZM55C16-TR BZM55C16-TR3 BZM55C18-TR BZM55C18-TR3 BZM55C20-TR BZM55C20-TR3 BZM55C22-TR BZM55C22-TR3 BZM55C24-TR BZM55C24-TR3 BZM55C27-TR BZM55C27-TR3 BZM55C2V4-TR BZM55C2V4-TR3 BZM55C2V7-TR BZM55C2V7-TR3 BZM55C30-TR BZM55C30-TR3