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BZT52H-C7V5115

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BZT52H-C7V5115 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP
  • 功能描述
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
BZT52H-C7V5115 技術參數
  • BZT52H-C7V5,115 功能描述:DIODE ZENER 7.5V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:SOD-123F 基本零件編號:BZT52H-C7V5 標準包裝:1 BZT52H-C75,115 功能描述:DIODE ZENER 75V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):175 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:SOD-123F 基本零件編號:BZT52H-C75 標準包裝:1 BZT52HC6V8WF-7 功能描述:Zener Diode 6.8V 375mW ±5.88% Surface Mount SOD-123F 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5.88% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:SOD-123F 標準包裝:1 BZT52H-C6V8,115 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 375MW SOD123F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:SOD-123F 基本零件編號:BZT52H-C6V8 標準包裝:1 BZT52HC6V2WF-7 功能描述:Zener Diode 6.2V 375mW ±6.45% Surface Mount SOD-123F 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±6.45% 功率 - 最大值:375mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:SOD-123F 標準包裝:1 BZT55A12-GS08 BZT55A12-GS18 BZT55A13-GS08 BZT55A13-GS18 BZT55A15-GS08 BZT55A15-GS18 BZT55A16-GS08 BZT55A16-GS18 BZT55A18-GS08 BZT55A18-GS18 BZT55A20-GS08 BZT55A20-GS18 BZT55A33-GS08 BZT55A33-GS18 BZT55A5V1-GS08 BZT55A5V1-GS18 BZT55A5V6-GS08 BZT55A5V6-GS18
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