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BZT55B51GS18

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BZT55B51GS18 技術參數
  • BZT55B51-GS08 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55B51 L1G 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 38V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55B51 L0G 功能描述:DIODE ZENER 51V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):125 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 38V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55B4V7-GS18 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55B4V7-GS08 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):4.7V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55B5V6 L0G BZT55B5V6 L1G BZT55B5V6-GS08 BZT55B5V6-GS18 BZT55B62 L0G BZT55B62 L1G BZT55B62-GS08 BZT55B62-GS18 BZT55B68 L0G BZT55B68 L1G BZT55B68-GS08 BZT55B68-GS18 BZT55B6V2 L0G BZT55B6V2 L1G BZT55B6V2-GS08 BZT55B6V2-GS18 BZT55B6V8 L0G BZT55B6V8 L1G
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