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BZT55C10 L1G

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  • 型號
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  • 封裝
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  • BZT55C10 L1G
    BZT55C10 L1G

    BZT55C10 L1G

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生

    電話:1376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 26243

  • Taiwan Semiconductor

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
BZT55C10 L1G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF
  • 制造商
  • taiwan semiconductor corporation
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態
  • 在售
  • 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz)
  • 10V
  • 容差
  • ±5%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt)
  • 15 Ohms
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 100nA @ 7.5V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf
  • 1V @ 10mA
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
  • 供應商器件封裝
  • 迷你型 MELF
  • 標準包裝
  • 2,500
BZT55C10 L1G 技術參數
  • BZT55C10 L0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55B9V1-GS18 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55B9V1-GS08 功能描述:Zener Diode 9.1V 500mW ±2% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55B9V1 L1G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55B9V1 L0G 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):9.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 6.8V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55C12-GS18 BZT55C13 L0G BZT55C13 L1G BZT55C13-GS08 BZT55C13-GS18 BZT55C15 L0G BZT55C15 L1G BZT55C15-GS08 BZT55C15-GS18 BZT55C16 L0G BZT55C16 L1G BZT55C16-GS08 BZT55C16-GS18 BZT55C18 L0G BZT55C18 L1G BZT55C18-GS08 BZT55C18-GS18 BZT55C20 L0G
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