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BZT55C30GS08

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BZT55C30GS08 技術參數
  • BZT55C30 L1G 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55C30 L0G 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55C2V7-GS18 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C2V7-GS08 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55C2V7 L1G 功能描述:DIODE ZENER 2.7V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55C36-GS18 BZT55C39 L0G BZT55C39 L1G BZT55C39-GS08 BZT55C39-GS18 BZT55C3V0 L0G BZT55C3V0 L1G BZT55C3V0-GS08 BZT55C3V0-GS18 BZT55C3V3 L0G BZT55C3V3 L1G BZT55C3V3-GS08 BZT55C3V3-GS18 BZT55C3V6 L0G BZT55C3V6 L1G BZT55C3V6-GS08 BZT55C3V6-GS18 BZT55C3V9 L0G
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