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BZT55C3V3-GS08-3V3

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BZT55C3V3-GS08-3V3 技術參數
  • BZT55C3V3-GS08 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55C3V3 L1G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZT55C3V3 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZT55C3V0-GS18 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:10,000 BZT55C3V0-GS08 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-80 變式 供應商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標準包裝:2,500 BZT55C43 L0G BZT55C43 L1G BZT55C43-GS08 BZT55C43-GS18 BZT55C47 L0G BZT55C47 L1G BZT55C47-GS08 BZT55C47-GS18 BZT55C4V3 L0G BZT55C4V3 L1G BZT55C4V3-GS08 BZT55C4V3-GS18 BZT55C4V7 L0G BZT55C4V7 L1G BZT55C4V7-GS08 BZT55C4V7-GS18 BZT55C51 L0G BZT55C51 L1G
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