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BZV55-C3V0(3V)

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BZV55-C3V0(3V) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZV55-C3V0(3V) 技術參數

BZV55C3V0 L1G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C3V0 L0G 功能描述:DIODE ZENER 3V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55C3V0 功能描述:Zener Diode 3V ±7% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:3V 容差:±7% 功率 - 最大值:- 阻抗（最大值）（Zzt）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AA（玻璃）供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 BZV55-C39,115 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:130 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 27.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 基本零件編號:BZV55C39 標準包裝:1 BZV55C39 L1G 功能描述:DIODE ZENER 39V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:90 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 28V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C3V6 L1G BZV55-C3V6,115 BZV55C3V6-TP BZV55C3V9 BZV55C3V9 L0G BZV55C3V9 L1G BZV55-C3V9,115 BZV55C3V9-TP BZV55C43 BZV55C43 L0G BZV55C43 L1G BZV55-C43,115 BZV55-C43,135 BZV55C47 BZV55C47 L0G BZV55C47 L1G BZV55-C47,115 BZV55C4V3