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BZV55-C5V1(5.1V)

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BZV55-C5V1(5.1V) 技術參數
  • BZV55C5V1 L1G 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C5V1 L0G 功能描述:DIODE ZENER 5.1V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:10,000 BZV55C5V1 功能描述:Zener Diode 5.1V ±6% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):5.1V 容差:±6% 功率 - 最大值:- 阻抗(最大值)(Zzt):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA(玻璃) 供應商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 BZV55-C56,115 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW SOD80C 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:SOD-80C 標準包裝:1 BZV55C56 L1G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):135 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 42V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應商器件封裝:迷你型 MELF 標準包裝:2,500 BZV55C62 BZV55C62 L0G BZV55C62 L1G BZV55-C62,115 BZV55-C62,135 BZV55C68 BZV55C68 L0G BZV55C68 L1G BZV55-C68,115 BZV55-C68,135 BZV55C6V2 BZV55C6V2 L0G BZV55C6V2 L1G BZV55-C6V2,115 BZV55-C6V2,135 BZV55C6V2-TP BZV55C6V8 BZV55C6V8 L0G
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