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BZX2C3V9

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制造商
CHONGQING
制造商全稱
CHONGQING
功能描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZX2C3V9 技術參數

BZX284-C9V1,115 功能描述:Zener Diode 9.1V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-110 供應商器件封裝:SOD2 標準包裝:3,000 BZX284-C8V2,115 功能描述:Zener Diode 8.2V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:700nA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-110 供應商器件封裝:SOD2 標準包裝:1 BZX284-C7V5,115 功能描述:Zener Diode 7.5V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-110 供應商器件封裝:SOD2 標準包裝:1 BZX284-C75,115 功能描述:Zener Diode 75V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:75V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:175 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-110 供應商器件封裝:SOD2 標準包裝:3,000 BZX284-C6V8,135 功能描述:Zener Diode 6.8V 400mW ±5% Surface Mount SOD2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-110 供應商器件封裝:SOD2 標準包裝:11,000 BZX384B11-E3-18 BZX384B11-G3-08 BZX384B11-G3-18 BZX384B11-HE3-08 BZX384B11-HE3-18 BZX384-B12,115 BZX384B12-E3-08 BZX384B12-E3-18 BZX384B12-G3-08 BZX384B12-G3-18 BZX384B12-HE3-08 BZX384B12-HE3-18 BZX384-B13,115 BZX384B13-E3-08 BZX384B13-E3-18 BZX384B13-G3-08 BZX384B13-G3-18 BZX384B13-HE3-08