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BZX55A1O

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BZX55A1O PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX55A1O 技術參數

BZX55A18-TAP 功能描述:Zener Diode 18V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:50 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A16-TAP 功能描述:Zener Diode 16V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A15-TAP 功能描述:Zener Diode 15V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A13-TAP 功能描述:Zener Diode 13V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:26 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 10V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A12-TAP 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55A6V8-TAP BZX55A7V5-TAP BZX55A8V2-TAP BZX55A9V1-TAP BZX55B10 A0G BZX55B10-TAP BZX55B10-TR BZX55B11 A0G BZX55B11-TAP BZX55B11-TR BZX55B12 A0G BZX55B12-TAP BZX55B12-TR BZX55B13 A0G BZX55B13-TAP BZX55B13-TR BZX55B15 A0G BZX55B15-TAP