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BZX55B120

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BZX55B120 技術參數

BZX55B12 A0G 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 9.1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B11-TR 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B11-TAP 功能描述:Zener Diode 11V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B11 A0G 功能描述:DIODE ZENER 11V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:20 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B10-TR 功能描述:Zener Diode 10V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B16-TAP BZX55B16-TR BZX55B18 A0G BZX55B18-TAP BZX55B18-TR BZX55B20 A0G BZX55B20-TAP BZX55B20-TR BZX55B22 A0G BZX55B22-TAP BZX55B22-TR BZX55B24 A0G BZX55B24-TAP BZX55B24-TR BZX55B27 A0G BZX55B27-TAP BZX55B27-TR BZX55B2V4 A0G