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BZX55B5VI

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BZX55B5VI 技術參數

BZX55B5V6-TR 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B5V6-TAP 功能描述:Zener Diode 5.6V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:40 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B5V6 A0G 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B5V1-TR 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B5V1-TAP 功能描述:Zener Diode 5.1V 500mW Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.1V 容差:- 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 BZX55B6V8 A0G BZX55B6V8-TAP BZX55B6V8-TR BZX55B75 A0G BZX55B75-TAP BZX55B75-TR BZX55B7V5 A0G BZX55B7V5-TAP BZX55B7V5-TR BZX55B8V2 A0G BZX55B8V2-TAP BZX55B8V2-TR BZX55B9V1 A0G BZX55B9V1-TAP BZX55B9V1-TR BZX55C10 BZX55C10 A0G BZX55C10_T26A