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BZX55B6V8-TAP

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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
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  • BZX55B6V8-TAP
    BZX55B6V8-TAP

    BZX55B6V8-TAP

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 853240

  • TEMICTelefunkenMicroelect

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨!!

  • BZX55B6V8-TAP
    BZX55B6V8-TAP

    BZX55B6V8-TAP

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 86290

  • VISHAY SE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • BZX55B6V8-TAP
    BZX55B6V8-TAP

    BZX55B6V8-TAP

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 4556

  • VISHAY

  • 1425

  • -
  • 原裝正品,現貨庫存!

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
BZX55B6V8-TAP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 穩壓二極管 6.8 Volt 0.5W 2%
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
BZX55B6V8-TAP 技術參數
  • BZX55B6V8 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):8 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B6V2-TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B6V2-TAP 功能描述:Zener Diode 6.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B6V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX55B68-TR 功能描述:Zener Diode 68V 500mW ±2% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):68V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 51V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55B8V2-TR BZX55B9V1 A0G BZX55B9V1-TAP BZX55B9V1-TR BZX55C10 BZX55C10 A0G BZX55C10_T26A BZX55C10_T50A BZX55C10_T50R BZX55C10-TAP BZX55C10-TR BZX55C11 BZX55C11 A0G BZX55C11_T50A BZX55C11_T50R BZX55C11-TAP BZX55C11-TR BZX55C12
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