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BZX55F2V7-TAP64

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BZX55F2V7-TAP64 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX55F2V7-TAP64 技術參數

BZX55F2V7-TAP 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.7V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F2V4-TR 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F2V4-TAP 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:2.4V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:85 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F27-TR 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F27-TAP 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±1% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:散裝零件狀態:上次購買時間電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:27V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 20V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX55F3V9-TAP BZX55F3V9-TR BZX55F4V3-TAP BZX55F4V3-TR BZX55F4V7-TAP BZX55F5V1-TAP BZX55F5V1-TR BZX55F5V6-TAP BZX55F5V6-TR BZX55F6V2-TAP BZX55F6V2-TR BZX55F6V8-TAP BZX55F6V8-TR BZX55F7V5-TAP BZX55F7V5-TR BZX55F8V2-TAP BZX55F8V2-TR BZX55F9V1-TAP