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BZX79-C12V

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BZX79-C12V 技術(shù)參數(shù)

BZX79C12-T50A 功能描述:DIODE ZENER 12V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 基本零件編號:BZX79C12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX79C12_T50R 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZX79C12_T50A 功能描述:Zener Diode 12V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX79-C12,143 功能描述:Zener Diode 12V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 歐姆不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:ALF2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BZX79-C12,133 功能描述:DIODE ZENER 12V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:12V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗（最大值）（Zzt）:25 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向供應(yīng)商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C12 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BZX79C15 A0G BZX79-C15,113 BZX79-C15,133 BZX79-C15,143 BZX79C15_NT50R BZX79C15_T50A BZX79C15_T50R BZX79C15-T50A BZX79C15-T50R BZX79C16 BZX79C16 A0G BZX79-C16,113 BZX79-C16,133 BZX79-C16,143 BZX79C16_T50A BZX79C16_T50R BZX79C16-T50A BZX79C18