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BZX79-C2V4 133

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BZX79-C2V4 133 技術參數(shù)
  • BZX79C2V4 功能描述:Zener Diode 2.4V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.4V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C2V2 A0G 功能描述:DIODE ZENER 2.2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C2V0 A0G 功能描述:DIODE ZENER 2V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):100 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C27-T50A 功能描述:DIODE ZENER 27V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 基本零件編號:BZX79C27 標準包裝:1 BZX79C27_T50R 功能描述:Zener Diode 27V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):27V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):80 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 18.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX79-C2V7,113 BZX79-C2V7,133 BZX79-C2V7,143 BZX79C2V7_T50A BZX79C2V7_T50R BZX79C2V7-T50A BZX79C30 BZX79C30 A0G BZX79-C30,113 BZX79-C30,133 BZX79-C30,143 BZX79C30_T50A BZX79C30_T50R BZX79C30-T50A BZX79C33 BZX79C33 A0G BZX79-C33,113 BZX79-C33,133
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