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BZX79-C75AMO

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BZX79-C75AMO 技術參數
  • BZX79-C75,143 功能描述:Zener Diode 75V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C75,133 功能描述:DIODE ZENER 75V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 基本零件編號:BZX79C75 標準包裝:1 BZX79-C75,113 功能描述:DIODE ZENER 74.5V 400MW ALF2 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 700mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:1 BZX79C75 A0G 功能描述:DIODE ZENER 75V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):75V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):255 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 52.5V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C6V8-T50A 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:2μA @ 4V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 基本零件編號:BZX79C6V8 標準包裝:1 BZX79C8V2 A0G BZX79-C8V2,113 BZX79-C8V2,133 BZX79-C8V2,143 BZX79C8V2_T50A BZX79C8V2_T50R BZX79C8V2-T50A BZX79C9V1 BZX79C9V1 A0G BZX79-C9V1,113 BZX79-C9V1,133 BZX79-C9V1,143 BZX79C9V1_T50A BZX79C9V1_T50R BZX79C9V1-T50A BZX84-A10,215 BZX84-A11,215 BZX84-A12,215
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