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BZX79B-5V1

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BZX79B-5V1 技術參數
  • BZX79-B56,143 功能描述:Zener Diode 56V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B56,133 功能描述:Zener Diode 56V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79-B56,113 功能描述:Zener Diode 56V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39.2V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:10,000 BZX79B56 A0G 功能描述:DIODE ZENER 56V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):56V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):200 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:39.2mA @ 50mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-B51,143 功能描述:Zener Diode 51V 400mW ±2% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±2% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):180 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 35.7V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-B62,113 BZX79-B62,133 BZX79-B62,143 BZX79B68 A0G BZX79-B68,113 BZX79-B68,133 BZX79-B68,143 BZX79B6V2 A0G BZX79-B6V2,113 BZX79-B6V2,133 BZX79-B6V2,143 BZX79B6V8 A0G BZX79-B6V8,113 BZX79-B6V8,133 BZX79-B6V8,143 BZX79B75 A0G BZX79-B75,113 BZX79-B75,133
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