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BZX79C47 PH

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BZX79C47 PH 技術參數
  • BZX79C47 A0G 功能描述:DIODE ZENER 47V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):170 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 32.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf:1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79C47 功能描述:Zener Diode 47V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):170 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 32.9V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:1,000 BZX79C43_T50R 功能描述:Zener Diode 43V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 30.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:10,000 BZX79C43_T50A 功能描述:Zener Diode 43V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 30.1V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 標準包裝:5,000 BZX79-C43,143 功能描述:Zener Diode 43V 400mW ±5% Through Hole ALF2 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:400mW 阻抗(最大值)(Zzt):150 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 700mV 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:ALF2 標準包裝:5,000 BZX79-C4V3,143 BZX79C4V3_T50A BZX79C4V3_T50R BZX79C4V3-T50A BZX79C4V7 BZX79C4V7 A0G BZX79-C4V7,113 BZX79-C4V7,133 BZX79-C4V7,143 BZX79C4V7_T50A BZX79C4V7_T50R BZX79C4V7-T50A BZX79C51 BZX79C51 A0G BZX79-C51,113 BZX79-C51,133 BZX79-C51,143 BZX79C51_T50A
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