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BZX85-C36

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  • BZX85-C36V
    BZX85-C36V

    BZX85-C36V

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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BZX85-C36 技術參數
  • BZX85C36 功能描述:Zener Diode 36V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):36V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):40 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 25V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1,000 BZX85C33-TR 功能描述:Zener Diode 33V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C33-TAP 功能描述:Zener Diode 33V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C33_T50R 功能描述:Zener Diode 33V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C33_T50A 功能描述:Zener Diode 33V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):33V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗(最大值)(Zzt):35 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL,DO-41,軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C39_T50R BZX85C39-TAP BZX85C39-TR BZX85C3V0-TAP BZX85C3V0-TR BZX85C3V3 BZX85C3V3 A0G BZX85C3V3 R0G BZX85C3V3_T50A BZX85C3V3_T50R BZX85C3V3-TAP BZX85C3V3-TR BZX85C3V6 BZX85C3V6 A0G BZX85C3V6 R0G BZX85C3V6_T50A BZX85C3V6_T50R BZX85C3V6-TAP
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