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BZX85B11 R0

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制造商
SKMI/Taiwan
功能描述
DO-41;ZENER 1300MW 11V

BZX85B11 R0 技術參數

BZX85B10-TR 功能描述:Zener Diode 10V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B10-TAP 功能描述:Zener Diode 10V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 7.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B100-TR 功能描述:Zener Diode 100V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B100-TAP 功能描述:Zener Diode 100V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:100V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:350 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 75V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX84J-C9V1,115 功能描述:DIODE ZENER 9.1V 550MW SOD323F 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:9.1V 容差:±5% 功率 - 最大值:550mW 阻抗（最大值）（Zzt）:10 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.1V @ 100mA 工作溫度:-65°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-90，SOD-323F 供應商器件封裝:SOD-323F 標準包裝:1 BZX85B16-TR BZX85-B180 BZX85B18-TAP BZX85B18-TR BZX85B20-TAP BZX85B20-TR BZX85B22-TAP BZX85B22-TR BZX85B24-TAP BZX85B24-TR BZX85B27-TAP BZX85B27-TR BZX85B2V7-TAP BZX85B2V7-TR BZX85B30-TAP BZX85B30-TR BZX85B33-TAP BZX85B33-TR