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BZX85B20 R0

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制造商
SKMI/Taiwan
功能描述
DO-41;ZENER 1300MW 20V

BZX85B20 R0 技術參數

BZX85B18-TR 功能描述:Zener Diode 18V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B18-TAP 功能描述:Zener Diode 18V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:20 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85-B180 功能描述:Zener Diode 180V 1.3W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41) 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:180V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:1200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 130V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 BZX85B16-TR 功能描述:Zener Diode 16V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B16-TAP 功能描述:Zener Diode 16V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:15 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 12V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B2V7-TR BZX85B30-TAP BZX85B30-TR BZX85B33-TAP BZX85B33-TR BZX85B36-TAP BZX85B36-TR BZX85B39-TAP BZX85B39-TR BZX85B3V0-TAP BZX85B3V0-TR BZX85B3V3-TAP BZX85B3V3-TR BZX85B3V6-TAP BZX85B3V6-TR BZX85B3V9-TAP BZX85B3V9-TR BZX85B43-TAP