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BZX85B6V8 R0

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制造商
SKMI/Taiwan
功能描述
DO-41;ZENER 1300MW 6V8

BZX85B6V8 R0 技術參數

BZX85B6V2-TR 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B6V2-TAP 功能描述:Zener Diode 6.2V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:6.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:4 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B68-TR 功能描述:Zener Diode 68V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 51V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B68-TAP 功能描述:Zener Diode 68V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:68V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:130 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 51V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B62-TR 功能描述:Zener Diode 62V 1.3W ±2% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:62V 容差:±2% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:125 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 47V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85B8V2-TR BZX85B91-TAP BZX85B91-TR BZX85B9V1-TAP BZX85B9V1-TR BZX85C10 BZX85C10 A0G BZX85C10 R0G BZX85C10_T50R BZX85C100-TAP BZX85C100-TR BZX85C10-T50R BZX85C10-TAP BZX85C10-TR BZX85C11 BZX85C11 A0G BZX85C11 R0G BZX85C11_T50A