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BZX85C33-TAP50

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BZX85C33-TAP50 技術參數

BZX85C33-TAP 功能描述:Zener Diode 33V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C33_T50R 功能描述:Zener Diode 33V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C33_T50A 功能描述:Zener Diode 33V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 23V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C33 R0G 功能描述:DIODE ZENER 33V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:5,000 BZX85C33 A0G 功能描述:DIODE ZENER 33V 1.3W DO204AL 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:35 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-204AL（DO-41）標準包裝:3,000 BZX85C39 R0G BZX85C39_T50A BZX85C39_T50R BZX85C39-TAP BZX85C39-TR BZX85C3V0-TAP BZX85C3V0-TR BZX85C3V3 BZX85C3V3 A0G BZX85C3V3 R0G BZX85C3V3_T50A BZX85C3V3_T50R BZX85C3V3-TAP BZX85C3V3-TR BZX85C3V6 BZX85C3V6 A0G BZX85C3V6 R0G BZX85C3V6_T50A