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BZX85C62 SB00018/E1

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  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • DIODE ZENER 62V 1.3 W
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • DIODE, ZENER, 62V, 1.3 W
BZX85C62 SB00018/E1 技術參數
  • BZX85C5V6-TR 功能描述:Zener Diode 5.6V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C5V6-TAP 功能描述:Zener Diode 5.6V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C5V6-T50R 功能描述:DIODE ZENER 5.6V 1W DO41 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 基本零件編號:BZX85C5V6 標準包裝:1 BZX85C5V6_T50R 功能描述:Zener Diode 5.6V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:1 BZX85C5V6_T50A 功能描述:Zener Diode 5.6V 1W ±7% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態:過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:5.6V 容差:±7% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:7 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向 供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:3,000 BZX85C6V2-T50A BZX85C6V2-TAP BZX85C6V2-TR BZX85C6V8 BZX85C6V8 A0G BZX85C6V8 R0G BZX85C6V8_T50A BZX85C6V8_T50R BZX85C6V8-TAP BZX85C6V8-TR BZX85C75-TAP BZX85C75-TR BZX85C7V5 BZX85C7V5 A0G BZX85C7V5 R0G BZX85C7V5_T50R BZX85C7V5-TAP BZX85C7V5-TR
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