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BZX85C82V

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BZX85C82V PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BZX85C82V 技術參數

BZX85C82-TR 功能描述:Zener Diode 82V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C82-TAP 功能描述:Zener Diode 82V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:82V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 62V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C7V5-TR 功能描述:Zener Diode 7.5V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C7V5-TAP 功能描述:Zener Diode 7.5V 1.3W ±5% Through Hole DO-41 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶盒（TB）零件狀態:有效電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:1.3W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:- 工作溫度:-55°C ~ 175°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:5,000 BZX85C7V5_T50R 功能描述:Zener Diode 7.5V 1W ±6% Through Hole DO-41 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±6% 功率 - 最大值:1W 阻抗（最大值）（Zzt）:3 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 4.5V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.2V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:DO-204AL，DO-41，軸向供應商器件封裝:DO-41 標準包裝:6,000 BZX85C9V1 BZX85C9V1 A0G BZX85C9V1 R0G BZX85C9V1_T50A BZX85C9V1_T50R BZX85C9V1-TAP BZX85C9V1-TR BZX884-B10,315 BZX884-B11,315 BZX884-B12,315 BZX884-B13,315 BZX884-B15,315 BZX884-B16,315 BZX884-B18,315 BZX884-B20,315 BZX884-B22,315 BZX884-B24,315 BZX884-B27,315