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2N5885G.

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2N5885G. 技術參數
  • 2N5885G 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 電流 - 集電極截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N5885 功能描述:TRANS NPN 60V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 電流 - 集電極截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N5884G 功能描述:TRANS PNP 80V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 電流 - 集電極截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N5884 功能描述:TRANS PNP 80V 25A TO-3 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 電流 - 集電極截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:20 2N5883G 功能描述:TRANS PNP 60V 25A TO3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):25A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):4V @ 6.25A,25A 電流 - 集電極截止(最大值):2mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 10A,4V 功率 - 最大值:200W 頻率 - 躍遷:4MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AA,TO-3 供應商器件封裝:TO-3 標準包裝:100 2N5952 2N5952_D74Z 2N5952_D75Z 2N5952_J35Z 2N5953 2N5953_J35Z 2N5954 2N5956 2N5961 2N5961_D27Z 2N5962 2N5962_D26Z 2N5962_D74Z 2N5963 2N6027 2N6027G 2N6027RL1 2N6027RL1G
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