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CEO100M125A

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CEO100M125A PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CEO100M125A 技術參數

CENW92 功能描述:TRANS PNP 300V 0.5A TO237 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:2.5W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 標準包裝:2,000 CENW42 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A TO237 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 2mA，20mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-237AA 供應商器件封裝:TO-237 標準包裝:2,000 CEN-U95 功能描述:TRANS PNP DARL 40V 2A TO-202 制造商:central semiconductor corp 標準包裝:500 CEN-U57 功能描述:TRANS PNP 100V 2A TO-202 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:350mV @ 25mA，250mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-202 長接片供應商器件封裝:TO-202 標準包裝:500 CEN-U45 功能描述:TRANS NPN DARL 40V 2A TO-202 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 2mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25000 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-202 長接片供應商器件封裝:TO-202 標準包裝:500 CEP-1116 CEP-1123 CEP-1126 CEP-1130 CEP-1136 CEP-1141 CEP-1152 CEP-1153 CEP-1160 CEP-1162 CEP-1172 CEP-1173 CEP123NP-1R2MC CEP123NP-2R0MC CEP123NP-3R2MC CEP123NP-4R6MC CEP123NP-6R3MC CEP123NP-8R0MC