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CPH3112-TL-E

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制造商
Sony Semiconductor Solutions Division
功能描述

CPH3112-TL-E 技術參數(shù)

CPH3109-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:230mV @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:380MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3107-TL-E 功能描述:TRANS PNP 15V 6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 60mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3106-TL-E 功能描述:TRANS PNP 12V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:165mV @ 30mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:280MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3105-TL-E 功能描述:TRANS PNP 50V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:380MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3101-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 2A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 75mA，1.5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:900mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，鷗翼型供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3145-TL-E CPH3148-TL-E CPH3205-M-TL-E CPH3205-TL-E CPH3209-TL-E CPH3212-TL-E CPH3215-TL-E CPH3215-TL-H CPH3216-TL-E CPH3216-TL-EX CPH3223-TL-E CPH3237-TL-E CPH3238-TL-E CPH3239-TL-E CPH3240-TL-E CPH3245-TL-E CPH3249-TL-E CPH3324-TL-E