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CSD18532KCSTI

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CSD18532KCSTI 技術參數
  • CSD18532KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.2 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4680pF @ 30V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 CSD18531Q5AT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 22A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3840pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSONP(5x6) 標準包裝:1 CSD18531Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):19A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.6 毫歐 @ 22A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3840pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSONP(5x6) 標準包裝:1 CSD18514Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):89A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2683pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.9 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSONP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18514Q5A 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):89A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):40nC @ 20V Vgs(最大值):±20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):74W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.9 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSONP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD18543Q3A
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